大家好，来看(kàn)一则突(tū)发消息。

　　美光公司(sī)在(zài)华销售的产品未通过网络(luò)安(ān)全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公室依法对(duì)美(měi)光(guāng)公司(sī)在华(huá)销售产品(pǐn)进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司(sī)产品存在较严重网络安(ān)全问题隐患，对我国关键(jiàn)信息基础设(shè)施(shī)供应链(liàn)造成重大(dà)安全风险，影(yǐng)响我国国(guó)家安全(quán)。为此，网络(luò)安(ān)全审查办公室(shì)依法作出不予通过(guò)网(wǎng)络安全审查(chá)的(de)结(jié)论。按(àn)照《网(wǎng)络安全(quán)法》等(děng)法(fǎ)律法(fǎ)规，我国内关键(jiàn)信息基(jī)础设施的运(yùn)营者应停止(zhǐ)采购美光公(gōng)司产品。

　　此次对美光(guāng)公司产(chǎn)品进行网(wǎng)络安全审查，目的是防(fáng)范产品网络安全问(wèn)题危害国家关(guān)键信息(xī)基础设施安全，是维护国家安全的必(bì)要措施。中(zhōng)国(guó)坚定推(tuī)进(jìn)高(gāo)水平对外开放(fàng)，只要遵守中(zhōng)国(guó)法律法规要求，欢(huān)迎各(gè)国企业、各类(lèi)平(píng)台(tái)产品服务进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为(wèi)保障关键信息基础(chǔ)设施(shī)供应链安(ān)全，防范产品问题隐患(huàn)造成网络安全(quán)风险，维(wéi)护(hù)国(guó)家安全，依据《中华人民共和(hé)国(guó)国家安全法》《中华(huá)人民共和国网络安全法》，网络(luò)安全审查办公室按照《网络安全审查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施网络安全审(shěn)查。

　　美光是美国的存储芯片行(xíng)业龙头，也是(shì)全球存储芯片巨头之一(yī)，2022年收(shōu)入来自中国市(shì)场收入从此前高峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年约11％。根据(jù)市(shì)场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星(xīng)电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为(wèi) 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球(qiú) DRAM （内(nèi)存）市(shì)场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存(cún)储等公司披露(lù)过美光等(děng)国际存储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美(měi)光在江波龙采购占比已经(jīng)显著下(xià)降，至少(shǎo)已经(jīng)不是(shì)主要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第(dì)一大存储(chǔ)晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二(èr)大和第三大(dà)供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下游建立国(guó)内外广泛合作。2022年(nián)年(nián)报(bào)显(xiǎn)示，江波龙与(yǔ)三(sān)星、美光(guāng)、西部数据(jù)等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署了长期(qī)合(hé)约，确保存储晶圆(yuán)供应的稳定(dìng)性，巩固公司(sī)在下游市(shì)场的(de)供(gōng)应优势(shì)，公司也(yě)与国(guó)内(nèi)国产存(cún)储晶(jīng)圆原厂武汉长(zhǎng)江存储(chǔ)、合肥(féi)长鑫保持(chí)良好的(de)合作。

　　有(yǒu)券商此前就分(fēn)析，如果美光在中国区销售(shòu)受到限(xiàn)制，或将导致下游客户转而采购国(guó)外三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存储、长鑫存(cún)储等竞(jìng)对产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上(shàng)游设备厂或从中受(shòu)益。存(cún)储器(qì)的生产已经(jīng)演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻(kè)蚀和薄(báo)膜(mó)成为最关键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每(měi)层均需(xū)要(yào)经过薄膜沉(chén)积工艺(y阴肖是指哪几个肖ì)步骤，同时刻蚀(shí)目(mù)前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生(shēng)更多设备(bèi)需求。据(jù)东(dōng)京电子披露，薄(báo)膜(mó)沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本(běn)开支合计为75％。自长江存储被加入(rù)美国限制名(míng)单(dān)，设备国产化进程加速，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等相关公(gōng)司份额提升，以(yǐ)及存储业(阴肖是指哪几个肖yè)务占比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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