大家好，来看一则突(tū)发消息(xī)。

　　美光公司在华销售的产品(pǐn)未通过网(wǎng)络(luò)安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公室依法对美(měi)光公司在华销售产(chǎn)品进行了网络(luò)安全(quán)审查。

　　审查发现，美(měi)光公(gōng)司产(chǎn)品存在(zài)较严重网络安(ān)全问题(tí)隐患(huàn)，对我国关(guān)键信息基础设(shè)施(shī)供应链造成重(zhòng)大(dà)安(ān)全(quán)风险(xiǎn)，影响我(wǒ)国国家安全。为此，网络安全审查办公室依法作出不予通过网络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法律法规，我(wǒ)国内关键(jiàn)信息基础设施的运营者应(yīng)停止采购美(měi)光公(gōng)司(sī)产(chǎn)品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品(pǐn)进行网络安全审查，目的是防范产(chǎn)品网络安(ān)全(quán)问(wèn)题危害国家关(guān)键信息基础设施安全(quán)，是(shì)维护(hù)国家安全的必要措(cuò)施。中国坚定推进高水平对(duì)外开放，只要(yào)遵(zūn)守中国法律法规要求，欢迎各(gè)国企业、各类平台产品(pǐn)服务(wù)进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网(wǎng)发(fā)文称，为(wèi)保(bǎo)障关键信息基础(chǔ)设施供应链安全，防范产品问题隐患造(zào)成网络安全风(fēng)险，维护国家安全，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华人民共和(hé)国网络安全法》，网络安全(quán)审查办公室按照《网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查办(bàn)法》，对(duì)美光公(gōng)司（Micron）在华(huá)销售的(de)产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯(xīn)片行业(yè)龙头，也是全球存(cún)储芯片巨头之一，2022年(nián)收(shōu)入来(lái)自中国市场收(shōu)入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年(nián)三星电(diàn)子(zi)、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美(měi)光(guāng)在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市(shì)公司中，江波龙、佰维存储等公(gōng)司披露(lù)过美光等国(guó)际存储(chǔ)厂商(shāng)为公(gōng)司供应(yīng)商。

　　美光(guāng)在江波龙采购(gòu)占比已经显著下降，至少已经(jīng)不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一大存储(chǔ)晶(jīng)圆(yuán)供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大(dà)和第三大供应商(shāng)采购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存(cún)储产业链(liàn)上下(xià)游建立国内(nèi)外广(guǎng)泛10亿人民币在日本算有钱吗，日本10亿等于人民币多少钱(fàn)合作。2022年年(nián)报(bào)显示(shì)，江波龙与三星、美光(guāng)、西(xī)部数据等主要存储晶圆原厂签署了(le)长期合约，确保存(cún)储晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固(gù)公(gōng)司(sī)在下游市场的(de)供应优势，公司也与国(guó)内(nèi)国(guó)产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如(rú)果(guǒ)美(měi)光在中国区销售受到限制，或将导致(10亿人民币在日本算有钱吗，日本10亿等于人民币多少钱zhì)下游客户转而(ér)采购国外三星、 SK海力士(shì)，国内(nèi)长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分(fēn)析(xī)称，长(zhǎng)存(cún)、长鑫的上游设备(bèi)厂或从中受益。存储器(qì)的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进(jìn)入3D NAND时(shí)代(dài)，2 维(wéi)到(dào)3维的(de)结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工(gōng)艺步(bù)骤(zhòu)，同时刻蚀目前(qián)前(qián)沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来可能会(huì)更深(shēn)的孔或(huò)者沟槽，催生更多(duō)设备需(xū)求。据东京电子披露(lù)，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本开支(zhī)合计为(wèi)75％。自(zì)长(zhǎng)江存储被(bèi)加入美国限制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科(kē)技(jì)（薄膜沉积）等相关公司份额提(tí)升，以(yǐ)及存(cún)储业务(wù)占比(bǐ)较(jiào)高的(de)华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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